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日本SMC人员已经开发出可以磁性和非磁性状态之间来回切换快速的储存材料和装置，有可能将固态驱动器和USB闪存驱动器的存储容量翻倍。他们研发了过渡金属氧化物来作为存储材料，因为它们获得或失去氧化物离子的时候，可以在非磁性不导电状态和高导电性金属磁体状态之间切换。日本SMC研发出让存储设备容量翻倍磁性开关。

磁存储设备里，一个磁性膜在各区域的磁化方向代表数据，而以二进制形式的电子存储装置里，数据存储在数百万个微型逻辑门内。北海道大学的研究人员认为，如果存储材料可以在磁性、非磁性状态之间迅速切换，就有可能为现在的0/1形式存储的数据添加新的A/B存储形式，从而实现容量翻番。为此，他们首先研发了过渡金属氧化物作为存储材料，因为它们获得或失去氧化物离子的时候，可以在非磁性不导电状态、高导电性金属磁体状态之间切换。不过，获得或失去氧化物离子需要高温加热，或者采用容易泄露的液体碱性电解质。